Numéro de produit du fabricant:
TSM170N06CH C5G
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM170N06CH C5G-DG
Description:
MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251
Description détaillée:
N-Channel 60 V 38A (Tc) 46W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventaire:
29506 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12892570
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SOUMETTRE
TSM170N06CH C5G Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
900 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
46W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-251 (IPAK)
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
TSM170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
75
Autres noms
TSM170N06CHC5G
TSM170N06CH C5G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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